[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 202010123262.2 | 申请日： | 2020-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN111627979B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 永冈达司;西中浩之;吉本昌广 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装;国立大学法人京都工芸纤维大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/04;H01L29/861;H01L29/872;H01L21/463;H01L21/34 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何冲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够使具有氧化镓基板的半导体装置中的晶体缺陷难以干涉二极管界面且半导体装置小型化的技术。本发明提供一种半导体装置，其具有氧化镓基板和电极。所述氧化镓基板具有由(100)晶面构成的第一侧面、由(100)晶面之外的面构成的第二侧面、以及上表面。所述电极与所述上表面接触。所述氧化镓基板具有由pn界面或肖特基界面构成的二极管界面、以及经由所述二极管界面与所述电极连接的n型漂移区。所述第一侧面与所述二极管界面之间的最短距离比所述第二侧面与所述二极管界面之间的最短距离短。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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