[发明专利]微波等离子反应装置有效
申请号: | 202010122113.4 | 申请日: | 2020-02-26 |
公开(公告)号: | CN111188023B | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 丁明辉;刘艳青;王凯;秦静 | 申请(专利权)人: | 美若科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/455;C23C16/511;C23C16/458 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 王丽莎 |
地址: | 276800 山东省日照市*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请涉及化学气相沉积装置领域,具体而言,涉及一种微波等离子反应装置。该装置包括壳体、沉积基台、微波输送结构以及限位件。微波输送结构包括介质天线和介质窗口。介质天线和介质窗口围合将壳体内腔分隔成第一腔室和第二腔室。沉积基台设置在第一腔室内。限位件位于第二腔室,介质天线通过限位件连接于壳体的内壁,以使介质天线的轴心线与沉积基台的轴心线重合。通过设置限位件能够将介质天线限定在预设的位置,保证介质天线的轴心线始终与沉积基台的轴心线重合。不仅能够提高对于介质天线的支撑强度以及稳定性,而且能够保证介质天线的位置始终在预设的位置,进而保证后续微波作用原料气体产生等离子体,准确地在沉积基台的预设位置沉积。 | ||
搜索关键词: | 微波 等离子 反应 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美若科技有限公司,未经美若科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010122113.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的