[发明专利]一种基于阳极氧化铝模板的Ni/Ag/BiVO4/CdS纳米阵列光电极制备方法在审
| 申请号： | 202010120787.0 | 申请日： | 2020-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN111441066A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 周思宇;周颖;陶洁;付群;雷勇 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C25B11/06 | 分类号： | C25B11/06;C25B1/04;C25D11/04;C23C14/16;C25D3/12;C23C18/00;C23C28/00;B22F9/24;B22F1/00 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 201900 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于阳极氧化铝模板的Ni/Ag/BiVO4/CdS纳米阵列光电极制备方法。具体实施方法是通过氧化铝模板法制备大范围且高度有序的镍柱作为基底，并利用超声辅助原位沉积法在镍柱表面包括一些Ag纳米颗粒，再用离子连续吸附法在Ag颗粒外部包裹BiVO4纳米颗粒薄膜，最后用化学浴沉积法在最外层包裹一层CdS纳米薄膜，最终制成Ni/Ag/BiVO4/CdS纳米阵列复合电极。本发明中制得的复合光电极和单一的BiVO4光电极相比具有更高的吸光效率，同时降低了光生载流子的复合效率，增加了其迁移效率，从而对其光电效率有显著提高的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 阳极 氧化铝 模板 ni ag bivo4 cds 纳米 阵列 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
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