[发明专利]高线性射频功率放大器有效
| 申请号： | 202010119720.5 | 申请日： | 2020-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN111313849B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 任江川;戴若凡 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/189 | 分类号： | H03F3/189;H03F3/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种高线性射频功率放大器，涉及射频前端集成电路领域。该高线性射频功率放大器包括功率放大器、激励放大器、匹配网络和自适应动态偏置电路，自适应动态偏置电路用于根据输入功率等级调节功率放大器的栅极偏置电压；功率放大器通过匹配网络和激励放大器连接射频输入端，功率放大器通过匹配网络连接射频输出端；自适应动态偏置电路的输入端连接射频输入端，自适应动态偏置电路的输出端连接功率放大器中的共源共栅放大器；其中，自适应动态偏置电路至少由若干个NMOS、若干个PMOS管、若干个电容和电阻组成；解决了现有的射频功率放大器难以满足线性度需求的问题，提高了射频功率放大器的线性度。 | ||
| 搜索关键词： | 线性 射频 功率放大器 | ||
【主权项】：
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