[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010118672.8 | 申请日： | 2020-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN111799235A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 安田贵弘;中村贤平 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/31;H01L23/49 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 包跃华;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够提高散热性的半导体装置。半导体装置(10)包括：半导体元件(40)、与半导体元件(40)电连接的键合线(50)、连接端子(30)、将半导体元件(40)和键合线(50)和连接端子(30)的一部分密封的密封部件(60)。此外，连接端子(30)具备引脚部(31)和锚固部(32)，引脚部(31)具有与键合线(50)接合的接合区域且呈平板状，锚固部(32)从引脚部(31)的第一侧部突出。由于半导体装置(10)能够使如此从密封部件(60)的密封主面(63)露出的背面(21)和背面(31d)占预定的面积以上，所以能够提高半导体装置(10)的散热性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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