[发明专利]光掩模、光掩模的制造方法和显示装置的制造方法在审
| 申请号： | 202010114945.1 | 申请日： | 2020-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN111624849A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 李锡薰;柳敏相;薛宰勋 | 申请（专利权）人： | HOYA株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/54 | 分类号： | G03F1/54;G03F1/80;G03F1/26 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 孟伟青;褚瑶杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供光掩模、光掩模的制造方法和显示装置的制造方法，提供一种能够将微细的图案可靠稳定地转印到被转印体上的光掩模。显示装置制造用的光掩模具有包含透光部(10)、遮光部(20)和半透光部(30)的转印用图案。透光部(10)通过使透明基板露出而成。遮光部(20)具有：在透明基板上至少形成有遮光膜的完全遮光部(21)；和与完全遮光部(21)的外缘接触形成、在透明基板上形成半透光性的边缘形成膜而成的宽度γ的边缘部(22)。半透光部(30)被遮光部(20)夹在中间，使透明基板以规定宽度α露出而成。宽度α设定成半透光部(30)的曝光光透过率小于透光部(10)的曝光光透过率。对边缘形成膜而言，对于曝光光的代表波长的光的透过率Tr为5～60％，并且对于代表波长的光的相移量为90度以下。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩模 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
