[发明专利]漏磁检测缺陷边沿识别的方法有效
| 申请号： | 202010114747.5 | 申请日： | 2020-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN111337566B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 黄松岭;龙跃;赵伟;王珅;彭丽莎;宋小春 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01N27/83 | 分类号： | G01N27/83 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 王艳斌 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种漏磁检测缺陷边沿识别的方法，包括：获取不同提离值下的缺陷漏磁场切向分量；获取各组缺陷漏磁场信号的极大值以及对应的切向位置和提离值；对缺陷漏磁场信号的极大值及对应的提离值进行非线性拟合，获得缺陷漏磁场信号极大值与对应的提离值之间的关系，根据该关系推算出提离值为0时，试样表面处的漏磁场信号的极大值；对缺陷漏磁场信号的极大值及对应的切向位置进行非线性拟合，获得缺陷漏磁场信号极大值与对应的切向位置之间的关系，根据该关系以及试样表面处的漏磁场信号的极大值，得到试样表面处的漏磁场信号极大值所对应的切向位置，该位置为缺陷边沿所在位置。该方法可对每一个缺陷执行一次解算，解算出该缺陷的边沿位置。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 缺陷 边沿 识别 方法 | ||
【主权项】：
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