[发明专利]用气相沉积碳纳米管管包覆硅负极材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 202010114577.0 申请日: 2020-02-25
公开(公告)号: CN111188022B 公开(公告)日: 2021-08-06
发明(设计)人: 顾灵锋;杨丽娜;舒显全 申请(专利权)人: 上海旦元新材料科技有限公司
主分类号: C23C16/02 分类号: C23C16/02;C23C16/26;C23C16/442;C23C16/455;H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525;B01J23/78;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 石家庄科诚专利事务所(普通合伙) 13113 代理人: 王宇佳;李琳
地址: 202150 上海市崇明区横*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种用气相沉积碳纳米管管包覆硅负极材料的制备方法,包括依次进行的以下步骤:将硅粉与催化剂放入搅拌机中混合,取出;将混合得到的粉体放入流化床中,通入H2还原粉体;在流化床中继续将还原得到的粉体用N2流化,通入碳源气体,炉温500~1000℃反应,得到反应后产物A;将反应后产物A进行气流粉碎,得到成品。本发明中的制备方法简单,成本低廉;制得的材料增强了电极的导电性,限制了硅脱嵌锂过程中的膨胀和收缩,适用于所有锂离子电池的负极。
搜索关键词: 用气相 沉积 纳米 管管 包覆硅 负极 材料 制备 方法
【主权项】:
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