[发明专利]用气相沉积碳纳米管管包覆硅负极材料的制备方法有效
申请号: | 202010114577.0 | 申请日: | 2020-02-25 |
公开(公告)号: | CN111188022B | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 顾灵锋;杨丽娜;舒显全 | 申请(专利权)人: | 上海旦元新材料科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/02 | 分类号: | C23C16/02;C23C16/26;C23C16/442;C23C16/455;H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525;B01J23/78;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 石家庄科诚专利事务所(普通合伙) 13113 | 代理人: | 王宇佳;李琳 |
地址: | 202150 上海市崇明区横*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: |
本发明公开了一种用气相沉积碳纳米管管包覆硅负极材料的制备方法,包括依次进行的以下步骤:将硅粉与催化剂放入搅拌机中混合,取出;将混合得到的粉体放入流化床中,通入H |
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搜索关键词: | 用气相 沉积 纳米 管管 包覆硅 负极 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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