[发明专利]一种耐冲击晶片电阻器及其制作方法在审
| 申请号： | 202010113307.8 | 申请日： | 2020-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN111192733A | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 陈智高;蔡东谋;简高柏 | 申请（专利权）人： | 国巨电子（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01C17/00 | 分类号： | H01C17/00;H01C17/22;H01C17/28;H01C7/00 |
| 代理公司： | 苏州简理知识产权代理有限公司 32371 | 代理人： | 杨瑞玲;朱亦倩 |
| 地址： | 215011 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种耐冲击晶片电阻器及其制作方法，所述制作方法首先要烧结一片试验电阻器，再将所述试验电阻器划分为九份，用阻值测量仪分别测量该九份中每一份的阻值，得到电阻器阻值与电极跨距的数值关系；再根据数值关系计算目标电阻所需的电极跨距，得到电极跨距L；再根据电极跨距L，制作获得对应的印刷网版；再使用印刷网版在基板上印刷电极，将电阻层贴敷在所述电极上，获得初步成型的电阻器；将保护层涂覆在所述初步成型的电阻器的外表面，获得成型的晶片电阻器。本发明所述制作方法不需激光修整精度，且只需印一层电阻层，其提高了电阻器的耐冲击性和生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 冲击 晶片 电阻器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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