[发明专利]薄膜形成用生长抑制剂，利用该生长抑制剂的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板

摘要

本发明涉及薄膜形成用生长抑制剂，利用该生长抑制剂的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，更具体涉及作为由化学式1表示的化合物的薄膜形成用生长抑制剂，利用该生长抑制剂的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板。本发明通过抑制副反应，适当降低薄膜生长速率，并通过去除薄膜内工艺副产物，即便在具有复杂结构的基板上形成薄膜时，也能大幅提高阶梯覆盖率以及薄膜的厚度均匀性。化学式1：AnBmXo所述A为碳或硅，所述B为氢或碳原子数为1至3的烷基，所述X为卤素，所述n为1至15的整数，所述o为1以上的整数，m为0至2n+1。