[发明专利]一种SiC/ZnO纳米异质结压力传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 202010111699.4 | 申请日： | 2020-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN111564549B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 王霖;吴杰;高凤梅;陈善亮;杨为佑 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | H01L41/04 | 分类号： | H01L41/04;H01L41/113;H01L41/18;H01L41/22;H01L41/316;H01L41/35;H01L41/37 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙) 33243 | 代理人： | 王玲华;洪珊珊 |
| 地址： | 315336 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于传感器技术领域，涉及一种SiC/ZnO纳米异质结压力传感器及其制备方法。所述SiC/ZnO纳米异质结压力传感器的制备方法包括以下步骤：(1)制备SiC/ZnO纳米异质结：将SiC纳米线分散于乙醇溶液中，取含有SiC纳米线的乙醇溶液滴在Si片上，自然晾干；然后将载有SiC纳米线的Si片面朝上放入原子层沉积系统，在惰性气氛中，以二乙基锌和水作为生长ZnO层的前驱体，在SiC纳米线表面生长ZnO层，从而获得SiC/ZnO纳米异质结；(2)压力传感器构建：将载有SiC/ZnO纳米异质结的Si片，在原子力显微镜导电模式下构建Pt/Ir‑SiC/ZnO‑Si压力传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic zno 纳米 异质结 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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