[发明专利]一种IC装备用静电卡盘AlN陶瓷及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010110066.1 申请日: 2020-02-23
公开(公告)号: CN111302806A 公开(公告)日: 2020-06-19
发明(设计)人: 李晨辉;邹阳;胡梁;史玉升;刘江安;吴甲民;贺智勇;张启富 申请(专利权)人: 华中科技大学;北京钢研新冶精特科技有限公司
主分类号: C04B35/581 分类号: C04B35/581;C04B35/622;C04B35/64;H01L21/683
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 李智;孔娜
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明属于陶瓷制备领域,并具体公开了一种IC装备用静电卡盘AlN陶瓷及其制备方法。该制备方法具体为:将AlN、Sm2O3的混合粉末或AlN、Y2O3的混合粉末与有机溶剂混合,并利用湿法球磨工艺进行研磨,以此获得混合浆料;采用蒸馏的方式将混合浆料进行固液分离获得干燥粉末;对干燥粉末进行放电等离子烧结,从而制得IC装备用静电卡盘AlN陶瓷。本发明采用Sm2O3或Y2O3作为烧结助剂,能够保证制得陶瓷中形成一种或多种稀土铝酸盐,从而有效改善其体积电阻率,同时本发明采用的放电等离子烧结工艺能够极大地缩短烧结时间,有效提高AlN陶瓷的相对密度,以此满足IC装备用静电卡盘的基材要求。
搜索关键词: 一种 ic 装备 静电 卡盘 aln 陶瓷 及其 制备 方法
【主权项】:
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