[发明专利]用于太阳能和数据存储的两用半导体器件在审

专利信息
申请号: 202010108971.3 申请日: 2020-02-21
公开(公告)号: CN111599804A 公开(公告)日: 2020-08-28
发明(设计)人: V·阿西瓦;S·V·罗特拉;N·N·库德;B·H·莱姆 申请(专利权)人: 马维尔亚洲私人有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L27/11517;H01L27/11519;H01L31/02;H01L31/042;H01L31/0475;G11C7/10;G11C11/40
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 酆迅
地址: 新加*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本公开的各实施例涉及用于太阳能和数据存储的两用半导体器件。本公开描述了用于太阳能和数据存储的两用半导体器件的各方面。在一些方面,两用半导体器件被选择性地配置为通过耦合具有相同掺杂类型的区域以形成PN结来生成功率,该PN结通过响应于光而生成功率。所生成的功率可以被提供给耦合到两用半导体器件的触点(例如,前触点和后侧触点)的负载。通过将相同掺杂类型的区域解耦以提供相的数据存储访问端子以用于通过两用半导体器件的浮栅结构访问(例如,写入或读取)作为电荷水平存储的位值。通过这样做,利用两用半导体器件实现的太阳能阵列也可以提供数据存储功能。
搜索关键词: 用于 太阳能 数据 存储 两用 半导体器件
【主权项】:
暂无信息
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