[发明专利]一种镍掺杂二氧化钛纳米管修饰锡锑电极及其制备方法在审
| 申请号： | 202010107168.8 | 申请日： | 2020-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN111334837A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 臧国龙;胡闯;刘琦 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C25D11/26 | 分类号： | C25D11/26;C25D9/08;B82Y40/00;C02F1/461 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 程小艳 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开一种镍掺杂二氧化钛纳米管修饰锡锑电极，由氧化锡锑表面涂层和具有纳米管结构的镍钛合金基底构成，所述镍钛合金基底在经过阳极氧化后，在其表面形成镍掺杂的二氧化钛纳米管阵列，随后在基体上通过直流电沉积法及升温退火活化法形成氧化锡锑表面涂层，该氧化锡锑表面涂层即为氧化锡锑催化层。还公开了该电极的制备方法，主要步骤有：合金基体的预处理、纳米管阵列的制备和直流电沉积法负载表面氧化锡锑涂层。减小了电极的阻抗，同时使电极的电催化能力增强，有利于规模化生产中的能耗控制和效率保障。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氧化 纳米 修饰 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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