[发明专利]超结半导体装置及超结半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202010107098.6 | 申请日： | 2020-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN111816694A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 坂田敏明 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 杨敏;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够抑制由制造偏差引起的耐压降低的超结半导体装置和超结半导体装置的制造方法。半导体装置具有终端结构部(40)和供电流流通的有源区(30)。在第一导电型的半导体基板(1)的正面，设置有第一导电型的第一半导体层(2)。在第一半导体层(2)的有源区(30)的表面，设置有由在与正面平行的面中重复交替地配置有第一导电型的第一柱(3a)和第二导电型的第二柱(4a)的第一并列pn结构。在终端结构部(40)，设置有重复交替地配置有第一导电型的第三柱(3b)和第二导电型的第四柱(4b)的第二并列pn结构，在第二并列pn结构的表面，设置有包括彼此分离的多个区的第二导电型的第一半导体区(17)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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