[发明专利]用等离子体辅助分子束外延以准范德华外延生长高质量ZnO单晶薄膜的方法有效
| 申请号： | 202010099954.8 | 申请日： | 2020-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN111334856B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 叶志镇;王宁;潘新花;何海平;黄靖云 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/16;C30B29/64 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 万尾甜;韩介梅 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种用等离子体辅助分子束外延以准范德华外延生长高质量ZnO单晶薄膜的方法。将清洗处理后氮气吹干的氟晶云母衬底放入分子束外延设备中，衬底温度加热至300～800℃，将纯O |
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| 搜索关键词： | 等离子体 辅助 分子 外延 准范德华 生长 质量 zno 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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