[发明专利]一种卤素阴离子插层水滑石正极材料及其制备方法以及卤素阴离子电池在审
| 申请号： | 202010095960.6 | 申请日： | 2020-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN111268708A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 韩景宾;尹青;罗佳能;张健;张硕潇 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C01F7/00 | 分类号： | C01F7/00;H01M4/58;H01M10/05;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘潇 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种卤素阴离子插层水滑石正极材料及其制备方法以及卤素阴离子电池，属于电化学技术领域。本发明提供的卤素阴离子插层水滑石正极材料的制备方法，包括以下步骤：将两种可溶性金属盐、环六亚甲基四胺和水混合后进行共沉淀反应，然后利用液溴对其进行氧化，得到溴离子插层水滑石纳米片材料，以高浓度氟化钠溶液或氯化钠溶液为原料，采用酸交换法制备氟离子插层水滑石纳米片材料或氯离子插层水滑石纳米片材料；再以该卤素阴离子插层水滑石纳米片材料为原料制备得到卤素阴离子电池的正极材料。本发明提供的方法制备的卤素阴离子插层水滑石纳米片材料形貌为规整的六边形，粒径大，结晶度高、容量大且循环稳定性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 卤素 阴离子 插层水 滑石 正极 材料 及其 制备 方法 以及 电池 | ||
【主权项】：
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