[发明专利]一种富含表面S空位ZnIn2

摘要

一种富含表面S空位ZnIn2S4纳米片阵列的制备方法，属于半导体光电催化材料的制备方法。制备方法，首先制备ZnIn2S4纳米片阵列，ZnIn2S4纳米片阵列垂直生长在衬底上；然后通过等离子体清洗在其表面产生大量的S空位，调节等离子清洗功率来实现引入不同量的S空位。引入的S空位在ZnIn2S4导带下侧形成一个局域能级，降低带隙宽度，提高ZnIn2S4纳米阵列电极片的吸光性能。S空位也可作为光生电子陷阱，提高光生电荷的寿命，进而提高其光催化性能。优点：富含S空位的ZnIn2S4纳米片阵列具有比表面积大、光吸收性能好，制备条件宽松，无毒，材料应用过程中易于回收，能够循环利用。