[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202010092525.8 | 申请日： | 2020-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN113270405A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 雒曲;徐政业 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 杜娟娟 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制作方法。该方法包括：提供半导体基板；形成第一字线沟槽结构；在第一字线沟槽结构底部形成第一牺牲层；利用外延生长法填满位于有源区内的第一字线沟槽结构；形成第一绝缘层，其覆盖半导体基板的顶部和第一字线沟槽结构，并将第一字线沟槽结构封口；在有源区内形成第二字线沟槽结构和鳍型结构，第二字线沟槽结构的深度小于第一字线沟槽结构的深度，且第二字线沟槽结构在竖直方向上的投影与第一牺牲层在竖直方向上的投影完全重叠；去除第一牺牲层以形成字线隧道与所述第一字线沟槽结构连通；对第一字线沟槽结构、第二字线沟槽结构和字线隧道进行填充，以形成埋入式字线结构，埋入式字线结构环绕鳍型结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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