[发明专利]一种在片校准件模型建立方法有效
| 申请号： | 202010091791.9 | 申请日： | 2020-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN111781479B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 吴爱华;霍晔;王一帮;梁法国;栾鹏;刘晨;孙静 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 付晓娣 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明适用于半导体微波特性测量技术领域，提供了一种在片校准件模型建立方法，包括：建立在片校准件等效电路，所述在片校准件等效电路包括偏置传输线、第一电容、第二电容、第一电感和第一电阻；通过设置所述在片校准件等效电路中的第一电容的电容值、第二电容的电容值、第一电感的电感值和第一电阻的电阻值，将所述在片校准件等效电路转换为开路标准件校准模型、短路标准件校准模型和负载标准件校准模型。本发明提供的在片校准件模型建立方法将各个类型的标准件校准模型进行了整合，方便对在片校准件模型进行统一的分析，简化了在片校准件模型的分析过程，提高了在片校准件模型的分析准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 校准 模型 建立 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十三研究所，未经中国电子科技集团公司第十三研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010091791.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
