[发明专利]半导体晶片、半导体晶片的制造方法及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202010089072.3 | 申请日： | 2020-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN112447825A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 小池貴;高桑真步 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/027;H01L21/205;H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式涉及半导体晶片、半导体晶片的制造方法及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体晶片包含：支撑区域，与支撑部件对向；外周区域，位于支撑区域的外侧；及内周区域，位于支撑区域的内侧。外周区域具有其厚度较内周区域向上方方向突出的凸部或其厚度较内周区域向下方方向凹陷的凹部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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