[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202010084909.5 | 申请日： | 2020-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN113130385A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 金志勋;金玄永;徐康元 | 申请（专利权）人： | 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 肖昀 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括：基板，具有器件区域；接触插塞，在所述器件区域上方且能够电性连接到其中的半导体器件；隔离层，设置在所述接触插塞的上方且暴露所述接触插塞；圆柱形导电特征，布置在所述隔离层上方并具有基本上垂直于所述基板表面的侧壁轮廓；和介电层，侧向围绕所述圆柱形导电特征，具有基本上阶梯状的掺杂物浓度分布，包含两种不同的掺杂物，所述掺杂物浓度水平从最靠近所述隔离层的下部区域向远离所述隔离层的上部区域减小；所述不同的掺杂物种类之间的掺杂物间比率从下部区域向上部区域增加。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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