[发明专利]一种二维三维钙钛矿异质结阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202010084573.2 | 申请日： | 2020-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN111244275B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 李必鑫;陈永华;夏英东;夏菲 | 申请（专利权）人： | 湖南第一师范学院;南京工业大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 吴频梅 |
| 地址： | 410205 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二维三维钙钛矿异质结阻变存储器及其制备方法，涉及半导体材料及功能器件技术领域。本发明的阻变存储器从下至上依次包括玻璃基底、底电极、三维卤化物钙钛矿阻变层、二维卤化物钙钛矿界面层和顶电极。本发明仅通过在顶电极与三维钙钛矿薄膜层之间添加二维钙钛矿界面层，形成二维三维钙钛矿异质结，利用二维钙钛矿的表面钝化作用，使本发明中的阻变存储器的开关比明显提高，降低了器件功耗。另外，本发明原料来源广泛，成本低，制备工艺简单，有利于产业化应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 三维 钙钛矿异质结阻变 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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