[发明专利]具有扩散阻挡间隙件部分的场效应晶体管在审
| 申请号： | 202010084168.0 | 申请日： | 2020-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN111668309A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 乔治·R·姆芬格;余鸿;谷曼;彭建伟;麦克·阿基利诺 | 申请（专利权）人： | 格芯公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有扩散阻挡间隙件部分的场效应晶体管，揭露场效应晶体管的结构以及形成场效应晶体管的方法。在由半导体材料组成的主动区上方设置该场效应晶体管的栅极结构。邻近该栅极结构设置第一侧壁间隙件。第二侧壁间隙件包括设置于该第一侧壁间隙件与该主动区之间的部分。该第一侧壁间隙件由低k介电材料组成。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 扩散 阻挡 间隙 部分 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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