[发明专利]集成互补场效应晶体管的结构及SRAM位单元有效
| 申请号： | 202010082453.9 | 申请日： | 2020-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN111668219B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 兰迪·W·曼;毕尔·C·保罗;朱利安·弗罗吉尔;谢瑞龙 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H10B10/00 | 分类号： | H10B10/00 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成互补场效应晶体管的结构及SRAM位单元，揭示包括互补场效应晶体管的结构及静态随机访问存储器位单元以及形成此类结构及位单元的方法。第一互补场效应晶体管具有第一储存纳米片晶体管、堆叠于第一储存纳米片晶体管上方的第二储存纳米片晶体管、以及由第一储存纳米片晶体管与第二储存纳米片晶体管共用的第一栅极电极。第二互补场效应晶体管具有第三储存纳米片晶体管、堆叠于第三储存纳米片晶体管上方的第四储存纳米片晶体管、以及由第三储存纳米片晶体管与第四储存纳米片晶体管共用的第二栅极电极。第一栅极电极与第二栅极电极沿纵轴以间隔布置设置。SRAM位单元的所有栅极电极可以1CPP(接触多晶硅间距)布局设置。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 互补 场效应 晶体管 结构 sram 单元 | ||
【主权项】：
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