[发明专利]半导体器件及其制作方法、集成电路、电子设备和芯片在审
| 申请号： | 202010080836.2 | 申请日： | 2020-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN111244184A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 顾杰;姚佳欣;张青竹;徐忍忍;殷华湘 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件及其制作方法、集成电路、电子设备和芯片，涉及半导体器件技术领域，用以抑制寄生沟道对半导体器件的影响，提高半导体器件的性能。该半导体器件包括衬底、扩散阻挡层和环栅晶体管；扩散阻挡层形成在衬底的表面；环栅晶体管形成在扩散阻挡层背离衬底的表面。本发明提供的半导体器件及其制作方法、集成电路、电子设备和芯片用于半导体器件及集成电路的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 集成电路 电子设备 芯片 | ||
【主权项】：
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