[发明专利]一种硅基InGaAs激光器衬底的制备方法、衬底和激光器有效
| 申请号： | 202010079728.3 | 申请日： | 2020-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN111262127B | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 欧欣;赵舒燕;王长;林家杰;游天桂 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/343 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明提供一种硅基InGaAs激光器衬底的制备方法，包括：S1：在供体衬底上赝晶生长In |
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| 搜索关键词： | 一种 ingaas 激光器 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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