[发明专利]具有低磨料浓度和化学添加剂组合的浅沟槽隔离(STI)化学机械平面化(CMP)抛光有效
| 申请号： | 202010078744.0 | 申请日： | 2020-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN111732896B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 史晓波;K·P·穆瑞拉;J·D·罗斯;周鸿君;M·L·奥内尔 | 申请（专利权）人： | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/3105;B24B37/04 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华;徐志明 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文提供了浅沟槽隔离(STI)化学机械平面化(CMP)抛光组合物、其使用方法和系统。所述CMP抛光组合物包含二氧化铈涂覆的无机氧化物颗粒如二氧化铈涂覆的二氧化硅的磨料；和用于提供高氧化物膜去除速率的双重化学添加剂。所述双重化学添加剂包括在同一分子上具有负和正电荷的明胶化合物，和在同一分子中具有多个羟基官能团的非离子有机分子。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 磨料 浓度 化学 添加剂 组合 沟槽 隔离 sti 机械 平面化 cmp 抛光 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于弗萨姆材料美国有限责任公司，未经弗萨姆材料美国有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010078744.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：变速风扇电机的驱动电路
- 下一篇：坑洞显示
