[发明专利]半导体集成电路有效
| 申请号： | 202010078296.4 | 申请日： | 2020-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN111664043B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 小滨考德 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | F02P3/055 | 分类号： | F02P3/055 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张欣;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供半导体集成电路。能针对对电源短路故障、像浪涌电压那样在短时间急剧变化的高电压保护功率开关元件和控制电路。点火器(1)在输入端子(IN)与控制电路(12)的电源端子之间具有第1降压电路(15)，在输入端子(IN)与IGBT(11)的栅极之间具有第2降压电路(16)。若因对电源短路故障而向输入端子(IN)输入电池电压，则第1降压电路(15)将电池电压降压到控制电路(12)的电源电压。如果因对电源短路故障而向输入端子输入电池电压，则第2降压电路(16)将电池电压降压到IGBT(11)的栅极电压。针对浪涌电压，以齐纳二极管组(13)以及第1降压电路(15)和第2降压电路(16)这两级结构进行减压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
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