[发明专利]显示装置以及用于制造其的方法在审
申请号: | 202010077884.6 | 申请日: | 2016-08-05 |
公开(公告)号: | CN111200003A | 公开(公告)日: | 2020-05-26 |
发明(设计)人: | 大地朋和 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/30;H01L51/52;H01L51/56;H05B33/10;H05B33/12;H05B33/14;H05B33/22;H05B33/24 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明提供了显示装置以及用于制造其的方法。通过以二维矩阵的形式布置多个像素获得的这种显示装置,每个所述像素配置有具有第一光反射层36R的第一发光元件10R、具有第二光反射层36G的第二发光元件10G以及具有第三光反射层36B的第三发光元件10B。每个发光元件具有第一电极51、有机层53和第二电极52。每个发光元件的边界区域具有沟部42 |
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搜索关键词: | 显示装置 以及 用于 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的