[发明专利]烧结钕铁硼磁体的镀层结构及其制备方法有效
申请号: | 202010076563.4 | 申请日: | 2020-01-23 |
公开(公告)号: | CN111270280B | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 郝志平;罗赣;白兰;罗霆 | 申请(专利权)人: | 北京麦戈龙科技有限公司 |
主分类号: | C25D7/00 | 分类号: | C25D7/00;C25D5/12;H01F41/26 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;卢军峰 |
地址: | 101300 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明的实施例提供了一种烧结钕铁硼磁体的镀层结构及其制备方法,包括:烧结钕铁硼磁体;含锡层,并且围绕烧结钕铁硼磁体;铜层,围绕含锡层;以及镍层,围绕铜层,其中,含锡层用作底层,镍层用作表层,并且铜层介于含锡层和镍层之间。本发明提供的烧结钕铁硼磁体的镀层结构在获得低热减磁率特性的同时,也获得了磁体镀层高附着力及高耐蚀性的特性,同时减少了一步工艺流程并降低了资源的浪费。 | ||
搜索关键词: | 烧结 钕铁硼 磁体 镀层 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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