[发明专利]沟槽栅功率MOSFET及其制造方法在审
| 申请号： | 202010076557.9 | 申请日： | 2020-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN111276540A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 张永熙;陈伟;黄海涛 | 申请（专利权）人： | 上海瞻芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/16;H01L21/04 |
| 代理公司： | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人： | 肖华 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体领域，公开了一种沟槽栅功率MOSFET及其制造方法。本申请沟槽栅功率MOSFET的制造方法包括：在宽禁带半导体衬底上生长具有第一导电类型的外延层；在外延层上形成具有第二导电类型的体区；在体区内通过刻蚀形成沟槽；将第一离子沿宽禁带半导体材料的晶向注入沟槽的底部区域，形成第二导电类型柱，沟槽的底部区域位于沟槽下方且与沟槽的底部相接，所述晶向的选取应使得第一离子的注入能够利用晶体沟道效应，并且第二导电类型柱的纵向深度至少不小于位于沟槽的底部区域的外延层的厚度的50％；向沟槽中填入填充物填充沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 功率 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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