[发明专利]基片处理装置和基片处理方法在审
| 申请号： | 202010074343.8 | 申请日： | 2020-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN111489986A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 松山健一郎 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。基于时间参数、构成多单元的单元的所需基片停留时间和循环时间，决定多单元中的作为基片的输送目标的单元的个数，以及决定停留循环数，其中，时间参数是，与为了将送入处理区块的基片输送到送出单元所需的主输送装置的输送工序数对应的基片的输送时间、或者通过用包括多单元并且以能够对基片进行多个步骤的处理的方式设置于处理区块的单元组之中的、相同步骤中的可使用单元数除所需基片停留时间而对于各步骤得到的时间中的最大时间。本发明在将单元的所需停留时间彼此不同的多个批次的基片依次输送并进行处理时，能够抑制基片输送装置的负荷来提高装置的处理能力。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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