[发明专利]包括单元栅极图案的三维闪速存储器装置及其制造方法在审
申请号: | 202010069622.5 | 申请日: | 2020-01-21 |
公开(公告)号: | CN112103294A | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 梁忠欢;朴照英;裴泰润;崔炳镕 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/11568 | 分类号: | H01L27/11568;H01L27/11582;H01L27/11521;H01L27/11556 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;张帆 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了包括单元栅极图案的三维闪速存储器装置及其制造方法。三维闪速存储器装置被描述为可包括衬底、交替地堆叠在衬底上的多个单元栅极图案和多个模制绝缘层、以及与多个单元栅极图案的侧表面和多个模制绝缘层的侧表面接触的垂直沟道结构。多个单元栅极图案中的每一个可包括单元栅电极和相邻设置在单元栅电极的一个侧表面上的阻挡势垒图案。阻挡势垒图案的内侧表面可包括上内侧表面、中间内侧表面和下内侧表面。阻挡势垒图案的中间内侧表面可面对单元栅电极的一个侧表面。阻挡势垒图案可具有在阻挡势垒图案的上内侧表面与阻挡势垒图案的中间内侧表面之间的连接点处朝向单元栅电极突出的部分。 | ||
搜索关键词: | 包括 单元 栅极 图案 三维 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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