[发明专利]去除基片表面残余物质的方法在审
| 申请号： | 202010068297.0 | 申请日： | 2020-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN113223925A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 马岳 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及微电子技术领域，公开了一种去除基片表面残余物质的方法，先将基片放置于工艺处理腔的样品台上，再控制样品台带动基片以预设转速旋转，然后将化学溶液喷洒在所述基片的表面上，以使得在基片的表面上形成一层均匀的液体薄膜，化学溶液中的氢氟酸与基片表面的氮化物等残余物质进行反应，从而达到清除效果，另外，化学溶液中混合的二氧化碳可以防止在清洗过程中对基片内部的铜线圈进行腐蚀，而二氟甲烷、氮气和氧气组成的混合气体与基片的表面的残余物进行反应，增强了清洗效果，从而获得良好的去除基片表面残余物质的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 表面 残余 物质 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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