[发明专利]用于外延设备的基座以及外延生长设备

摘要

本发明公开一种用于外延设备的基座以及外延生长设备，基座为圆盘状，在基座的上表面开设有凹槽，凹槽包括凹槽底面和凹槽侧壁；基座上开设有多个自基座的底面向上延伸至凹槽侧壁上的气道；气道的进气口开设在基座的底面上，气道的出气口开设在凹槽侧壁上。气流能够从基座底面的进气口进入，并从凹槽侧壁靠近晶圆边缘区域的出气口排出，改变基座上晶圆边缘位置的气流，稀释晶圆边缘区域的反应气体的浓度，使边缘处生长速率降低，从而降低晶圆边缘厚度，改善晶圆边缘的厚度均匀性。