[发明专利]在光刻胶表面制备亚波长纳米结构的方法在审
| 申请号： | 202010063144.7 | 申请日： | 2020-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN111591954A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 刘颖;杨高元;洪义麟 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | B81B7/04 | 分类号： | B81B7/04;B81C1/00;G03F7/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种在光刻胶表面制备亚波长纳米结构的方法，包括以下步骤：在一基底上涂覆光刻胶，经固化得到光刻胶薄膜样品；将离子束按照设置的离子束参数轰击所述光刻胶薄膜样品的表面，得到亚波长纳米结构，其中所述离子束参数包括离子束入射角θ，取值为30°～70°。本发明的方法所制作出的亚波长纳米结构具有特征尺寸小、形状尺寸可调的优势，且制作工艺简单，加工效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 表面 制备 波长 纳米 结构 方法 | ||
【主权项】：
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