[发明专利]阳极及其制备方法以及阴极发射测试装置有效
| 申请号： | 202010061987.3 | 申请日： | 2020-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN111243916B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 刘燕文;王国建;田宏;朱虹;李芬;孟鸣凤;赵恒邦;谷兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | H01J1/13 | 分类号： | H01J1/13;H01J9/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种阳极，用于测试真空电子器件的阴极的发射性能，该阳极包括：阳极体(2)及阳极头(6)，其中，所述阳极头(6)为多面体结构，其中一面连接至所述阳极体(2)的一端，其余各面分别与一个阴极(1)对应，以测试所述阴极(1)的发射性能。该阳极中阳极头为多面体结构，阳极头与阳极体之间密闭空间的透气率很低，使得阴极发射测试装置可以在一个阳极上同时测试多个阴极的发射性能而不会互相影响，并且可以在一个真空测试罩内测试多个阴极的发射性能，从而大大提高了阴极发射性能的测试效率。同时，通过合理设计阳极体及阳极头的材料，进一步提高测试效率。此外，该装置结构简单，操作方便。 | ||
| 搜索关键词： | 阳极 及其 制备 方法 以及 阴极 发射 测试 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院电子学研究所，未经中国科学院电子学研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010061987.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：GaN基常关型高电子迁移率晶体管及制备方法
- 下一篇：一种英语词汇量测试方法
