[发明专利]GaN基常关型高电子迁移率晶体管及制备方法在审
| 申请号： | 202010061986.9 | 申请日： | 2020-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN111243954A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 姬小利;魏同波;王军喜;李晋闽;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 方丁一 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
一种GaN基常关型高电子迁移率晶体管及其制备方法，方法包括：S1，在衬底(10)上依次制备成核层(11)、缓冲层(12)和第一高阻GaN层(13)；S2，在第一高阻GaN层(13)上制备图形化介质层(20)；S3，基于图形化介质层(20)，横向外延生长脊形GaN层(30)，然后去除图形化介质层(20)，形成脊形GaN模板，其中，脊形GaN层(30)的侧壁为 |
||
| 搜索关键词： | gan 基常关型高 电子 迁移率 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010061986.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
