[发明专利]一种二次电池负极材料用纳米硅粒子的制造方法有效
| 申请号： | 202010057479.8 | 申请日： | 2020-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN111785952B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 金奉渊;李琰;张满强 | 申请（专利权）人： | 成都拓米电子装备制造有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38;H01M10/0525;C01B33/021;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 李想 |
| 地址： | 611730 四川省成都市郫都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二次电池负极材料用纳米硅粒子的制造方法，属于电池材料的技术领域，该方法包括：将A硅晶片经水溶性粘合剂处理，以获取表面带有水溶性粘合剂膜的B硅晶片；将B硅晶片进行激光照射获取C硅晶片并通过C硅晶片制备高浓度的纳米颗粒溶液；通过对高浓度纳米硅溶液进行加热或过滤以制备纳米硅粉末，即为均匀的纳米硅颗粒，以达到提高原料的利用率并能够进行大批量生产的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二次 电池 负极 材料 纳米 粒子 制造 方法 | ||
【主权项】：
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