[发明专利]一种半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010056880.X | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN113140634A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 张清纯 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 王艺涵 |
| 地址： | 上海市杨浦区国权*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：第一半导体区，第一半导体区为第一导电类型；至少两个第二半导体区，沿第一方向设置在第一半导体区内，相邻的两个第二半导体区之间的第一半导体区形成结场效应区，第二半导体区为第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型相反；第三半导体区，设置在第二半导体区内，且沿第一方向的一侧与结场效应区间隔设置，另一侧延伸至第二半导体区的边缘，第三半导体区是第一导电类型。由于第三半导体区可以沿第一方向延伸至第二半导体区的边缘，从而可以增加第三半导体区的面积，增加电子的导电面积，降低半导体器件的接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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