[发明专利]一种二维水平同质结、自驱动逻辑光电开关及其制备方法有效
| 申请号： | 202010053717.8 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111245416B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 张跃;杜君莉;张铮;柳柏杉;高丽;于慧慧;温嘉玲;汤文辉;张先坤;洪孟雨;肖建坤 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H03K17/94 | 分类号： | H03K17/94;H01L29/06;H01L21/18 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种二维水平同质结、自驱动逻辑光电开关及其制备方法，属于半导体光电技术领域。本发明所述光电开关包括二维二硒化钨、硅/二氧化硅绝缘衬底、氮化硼、铟金属n型掺杂源层、金金属p型掺杂源层。本发明利用金电极对二维二硒化钨产生p型掺杂，铟电极对二维二硒化钨产生n型掺杂，构筑了二维二硒化钨水平p‑n同质结。氮化硼和绝缘硅作为栅介质层，硅作为栅电极。二维二硒化钨材料作为光敏材料，在光照下产生光生电子空穴对，对硅衬底施加栅极电压调控同质结整流方向，从而控制光生电子空穴流动方向，起到逻辑光电开关的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 水平 同质 驱动 逻辑 光电开关 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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