[发明专利]一种干法刻蚀装置在审
| 申请号： | 202010050682.2 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111128812A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 张光轩;豆海清;曾最新 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 刘恋;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开一种干法刻蚀装置，所述装置包括：反应腔室以及分流部件；其中，所述分流部件用于将从所述反应腔室外流入的刻蚀气体分流成多路刻蚀气体后输入至所述反应腔室内；所述分流部件包括至少两级分流阀；其中，所述至少两级分流阀中的最上级分流阀，用于将流入的所述刻蚀气体按照第一流量比例分流成两路以上刻蚀气体，并将分流后的所述刻蚀气体输出至所述最上级分流阀的下一级分流阀；所述至少两级分流阀中的最下级分流阀，用于将所述最下级分流阀的上一级分流阀输出的一路刻蚀气体按照第二流量比例分流成两路以上刻蚀气体，并将分流后的所述刻蚀气体分别输入至所述反应腔室内。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
