[发明专利]半导体结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202010047301.5 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN113130446B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L23/64;H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：第一结构；第二结构，至少包覆部分第一结构，第一结构电性连接有第一焊盘，第二结构电性连接有第二焊盘。上述半导体结构能够准确测试第一结构的漏电流，还可以监控第一结构的崩溃电压，能准确反映内衬层的品质，从而提高产品的良率，保障质量，减少成本；而且上述半导体结构还可以作为电容器被应用到芯片中。第二结构至少包覆部分第一结构，与第一结构直接接触，使得半导体结构能够准确测试第一结构漏出内衬层的漏电流和崩溃电压，能更加准确反映内衬层的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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