[发明专利]一种高导电性纯铜导线消除横向晶界的方法在审
申请号: | 202010047003.6 | 申请日: | 2020-01-16 |
公开(公告)号: | CN111118421A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 陈光;董鑫;祁志祥;郑功;李沛 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | C22F1/08 | 分类号: | C22F1/08 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 邹伟红 |
地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种高导电性纯铜导线消除横向晶界的方法,其步骤为:将电工用纯铜线坯经拉拔至3mm后进行550℃~650℃中间退火,然后拉拔至1mm以下,进行260℃~300℃去应力退火,所得试样再进行定向热处理,设置热区温度550℃~850℃,抽拉速率3~100μm/s,热区前端温度梯度 ≥30℃/mm。本发明采用定向热处理的方法,使初始纯铜导线中的细小等轴晶沿热流方向选择性生长,获得柱状晶结构,消除横向晶界,降低电阻率,减弱电容电感效应,提高导电性能,同时本发明具有工艺简单、可控性好、低耗高效、节能环保以及适合规模化生产等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 导电性 导线 消除 横向 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京理工大学,未经南京理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010047003.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种复合光催化材料及其制备方法
- 下一篇:终端天线系统及移动终端