[发明专利]一种基于苯乙基氯化胺制备纯相高指数垂直取向的锡基钙钛矿薄膜的方法有效
| 申请号： | 202010046625.7 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN111180579B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 王照奎;李萌 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H10K71/12 | 分类号： | H10K71/12;H10K71/40;H10K30/50;H10K30/15;C30B29/54 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 尹红红 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于太阳能电池领域，公开了一种基于苯乙基氯化胺制备纯相高指数垂直取向的锡基钙钛矿薄膜的方法。该方法通过引入一定量的苯乙基氯化胺到锡基钙钛矿前驱体溶液中，在不同的特定温度中控制其二维维结构中高指数和低指数取向的生长，通过苯乙基氯化胺对锡基钙钛矿晶体结晶的重结晶诱导，梯度退火处理有效的抑制了低指数结构的生长，实现了全覆盖，纯相高指数二维晶体垂直于基底生长的锡基钙钛矿薄膜。最终制备的光伏器件，其室内和室外的能量转换效率都有了明显的提升，晶界处的锡基晶体实现了很好的水氧隔绝效果，提升了锡基器件的稳定性。该方法有利于制备高效、稳定的锡基钙钛矿室内光伏器件，便于物联网时代智能家居终端的能源供应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 乙基 氯化 制备 纯相高 指数 垂直 取向 锡基钙钛矿 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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