[发明专利]金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202010044859.8 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN113130652A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 徐信佑;陈涌昌;王振煌 | 申请（专利权）人： | 全宇昕科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙) 11446 | 代理人： | 张羽;刘国伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法。金属氧化物半导体场效晶体管包含基材结构、多个掺杂区域、多个沟槽氧化层、多个半导体层结构、介电质层结构及金属结构。基材结构包含基底层及磊晶层。磊晶层具有多个沟槽。每个沟槽的沟槽深度为X1微米。多个掺杂区域分别形成于多个沟槽的底部。多个沟槽氧化层分别形成于多个沟槽的内壁。每个沟槽氧化层的氧化层厚度为X2微米。X1与X2符合以下关系式：0.05X1≤X2≤0.25X1。多个半导体层结构分别形成于多个沟槽中，以形成多个沟渠式结构。介电质层结构形成于多个半导体层结构上。金属结构形成于介电质层结构上。借此，金属氧化物半导体场效晶体管能承受较高的工作电压、而不会有烧毁的情形发生。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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