[发明专利]具有晶片边缘等离子体壳层调谐能力的半导体等离子体处理设备在审
| 申请号： | 202010041505.8 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN111653465A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | Y·萨罗德维舍瓦纳斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 汪骏飞;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了具有晶片边缘等离子体壳层调谐能力的半导体等离子体处理设备。本公开的实施例整体包括通过控制在等离子体处理期间在衬底(诸如半导体晶片)上形成的等离子体壳层的形状来改善跨衬底的表面的蚀刻速率均匀性的方法和设备。本公开的实施例将包括调整一个或多个等离子体处理变量和/或调整在处理期间紧邻衬底和/或支撑所述衬底的工艺配件硬件的配置。此外，本公开的实施例将包括更换所述工艺配件硬件内的仅少量的消耗零件，而所述工艺配件硬件的其余零件则长时间段重复使用而无需为所述工艺腔室排气。对所述消耗零件的所述更换可以使用调换使用过的零件的自动化方法完成而无需为所述工艺腔室排气。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 晶片 边缘 等离子体 调谐 能力 半导体 处理 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010041505.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
