[发明专利]一种基于金属粉末制备半导体氧化物薄膜的方法在审
| 申请号： | 202010040093.6 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN111243939A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 胡荣;柳红东;刘玉荣 | 申请（专利权）人： | 重庆文理学院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 重庆晶智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 50229 | 代理人： | 李靖 |
| 地址： | 40216*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种基于金属粉末制备半导体金属氧化物薄膜的方法，其特征在于：包括前驱液制备和氧化物薄膜制备两个步骤，前驱液制备具体是以金属粉末溶解于双氧水、氨水和去离子水组成的混合液中，充分搅拌溶解12h，再陈化2~4h制得前驱液；氧化物薄膜制备具体是将制备好的前驱液通过旋涂或喷涂方式于基板表面制备湿膜，并通过热退火处理制得金属氧化物薄膜。以较低浓度进行配制前驱液，前驱液可放置长达10天以上不失效；不使用有机溶剂，利于前驱液有效回收；制备的薄膜与基板结合能力强，表面缺陷少，有效利用低浓度前驱液制备出均匀性、致密性优异的金属氧化物薄膜，制备的薄膜使用稳定性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 金属粉末 制备 半导体 氧化物 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆文理学院，未经重庆文理学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010040093.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
