[发明专利]硅基氮化镓射频器件射频损耗的抑制方法在审
| 申请号： | 202010039835.3 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN111211159A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 杨学林;沈波;魏来;马骋;吴珊;沈剑飞;刘丹烁;蔡子东;黄华洋;陈正昊 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/02;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基氮化镓射频器件射频损耗的抑制方法，在高阻硅衬底上外延一层n型单晶硅，得到复合硅衬底，再在其上外延氮化铝和后续的氮化镓薄膜，通过复合硅衬底掺杂的n型电子与铝原子扩散带来的空穴流子复合，从而使硅衬底维持在高阻状态，降低硅基氮化镓射频器件的射频损耗。该方法在有效抑制器件射频损耗的同时，不会降低外延层的晶体质量，不影响器件的稳定性，而且操作简单快捷，成本可控。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 射频 器件 损耗 抑制 方法 | ||
【主权项】：
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